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高熱伝導性シリコンカービッドプレート絶妙な侵食耐性と低熱膨張性

中国高熱伝導性シリコンカービッドプレート絶妙な侵食耐性と低熱膨張性販売のため

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高熱伝導性シリコンカービッドプレート絶妙な侵食耐性と低熱膨張性

価格	10USD/PC
MOQ	1PC
納期	5-8 working days
ブランド	ZG
原産地	中国
Certification	CE
モデル番号	MS
梱包の詳細	グローバル配送用の強力な木製の箱
支払い条件	L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
補給能力	1000個

製品の詳細

製品仕様

Brand Name	ZG	モデル番号	MS
Certification	CE	原産地	中国
最低注文数量	1個	Price	10USD/PC
支払い条件	L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム	補給能力	1000個
納期	5～8営業日	梱包の詳細	グローバル配送用の強力な木製の箱

製品説明

炭化ケイ素（SiC）プレート

炭化ケイ素（SiC）は、ダイヤモンドと多くの特性を共有しており、最も軽量、硬く、強力な技術セラミック材料の1つです。優れた熱伝導性、耐酸性、および低い熱膨張性を備えています。炭化ケイ素は、その優れた浸食および耐摩耗性により、物理的な摩耗が重要な考慮事項となる場合に最適な材料です。

無加圧焼結炭化ケイ素セラミックス
優れた浸食性と耐摩耗性
ノズル、サンドブラストノズル、サイクロンセパレーター部品に適しています

機械的特性

特性	単位	炭化ケイ素
密度	g/cm³	3.15
ビッカース硬度	Hv0.5	2650
曲げ強度	MPa	450
圧縮強度	MPa	2650
弾性率	GPa	430
破壊靭性	MPa*m²/²	4
ポアソン比		0.14
ヤング率	GPa	430
炭化ケイ素原料純度	%	99

熱的特性

特性	単位	炭化ケイ素
25℃での熱伝導率	W/mK	110
融点	℃	2800
比熱	J/g*K	0.8
線膨張係数	10⁻⁶/K	4

電気的特性

特性	単位	炭化ケイ素
誘電率	1MHz	10
絶縁破壊電圧	V/cm	1×10⁶
誘電損失	1MHz	0.001
抵抗率	Ω*cm	10²-10⁶

Silicon Carbide industrial parts and components including nozzles and technical ceramic applications

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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

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Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter

歳入: 5000000-8000000
従業員: 50~100
年設立: 2007

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