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| 価格 | USD10/piece |
| MOQ | 1 piece |
| 納期 | 3 working days |
| ブランド | ZG |
| 原産地 | 中国 |
| Certification | CE |
| 型式番号 | MS |
| 包装の細部 | 全体的な船積みのための強い木箱 |
| 支払の言葉 | L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram |
| 供給の能力 | 1ヶ月あたりの10000部分 |
| Brand Name | ZG | 型式番号 | MS |
| Certification | CE | 原産地 | 中国 |
| 最低順序量 | 1部分 | Price | USD10/piece |
| 支払の言葉 | L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram | 供給の能力 | 1ヶ月あたりの10000部分 |
| 受渡し時間 | 3仕事日 | 包装の細部 | 全体的な船積みのための強い木箱 |
| 適用 | 高い発電装置 光電子工学装置GaNのエピタクシー装置 発光ダイオード | 直径 | Øの1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6" |
| 厚さ | 330 um | 350 um | 等級 | 生産の等級/研究の等級 |
SICのウエファー
半導体ウエハー、株式会社（SWI）は電子および光電子工学の企業に良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）を提供する。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径で2インチNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
SiCのウエファーの塗布
| 高周波装置 | 高温装置 |
| 高い発電装置 | 光電子工学装置 |
| GaNのエピタクシー装置 | 発光ダイオード |
SiCのウエファーの特性
| Polytype | 6H SiC | 4H SiC |
| 水晶積み重ね順序 | ABCABC | ABCB |
| 格子変数 | a=3.073A、c=15.117A | a=3.076A、c=10.053A |
| バンド ギャップ | 3.02 eV | 3.27 eV |
| 比誘電率 | 9.66 | 9.6 |
| 屈折の索引 | n0 =2.707、ne =2.755 | n0 =2.719 ne =2.777 |
製品仕様書
| Polytype | 4H / 6H |
|---|---|
| 直径 | Øの2"/Ø 3"/Ø 4" |
| 厚さ | 330 um | 350 um |
| オリエンテーション | を離れた軸線 /4° を離れた軸線 |
| 伝導性 | N - タイプ/Semi-insulating |
| 添加物 | N2 （窒素の）/V （バナジウム） |
| 抵抗（4H-N） | 0.015 | 0.03オームcm |
| 抵抗（6H-N） | 0.02 | 0.1オームcm |
| 抵抗（SI） | > 1E5オームcm |
| 表面 | CMPは磨いた |
| TTV | |
| 弓/ゆがみ | |
| 等級 | 生産の等級/研究の等級 |
