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| 価格 | Negotiated |
| MOQ | 10 |
| 納期 | 2-15days |
| ブランド | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| 原産地 | 中国 |
| Certification | ROHS |
| 型式番号 | IRLR3915TRPBF |
| 包装の細部 | 標準パッケージ |
| 支払の言葉 | T/T、ウェスタン・ユニオン |
| 供給の能力 | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | 型式番号 | IRLR3915TRPBF |
| Certification | ROHS | 原産地 | 中国 |
| 最低順序量 | 10 | Price | Negotiated |
| 支払の言葉 | T/T、ウェスタン・ユニオン | 供給の能力 | 500000PCS |
| 受渡し時間 | 2-15days | 包装の細部 | 標準パッケージ |
| 家族 | ディスクリート半導体製品 | 部門 | 電子部品-MOSFET（金属酸化物） |
| シリーズ | HEXFET MOSFET（金属酸化物） | 基礎部品番号 | IRLR3915 |
| 細部 | Nチャンネル55V 30A（Tc）120W（Tc）表面実装D-Pak | タイプ | トランジスタ-FET、MOSFET-シングル |
| 記述 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | パッケージ | TO-252-3、DPak（2リード+タブ）、SC-63 |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | ストック | ストック |
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies / International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30ADPAKディスクリート半導体製品
Nチャンネル55V 30A（Tc）120W（Tc）表面実装D-Pak
説明
このHEXFET®パワーMOSFETは、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を非常に低く抑えています。
この製品の追加機能は、175°Cの接合部動作温度、高速スイッチング速度、および改善された繰り返しアバランシェ定格です。これらの機能を組み合わせることで、この設計はさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスになります。
特徴 ：
高度なプロセス技術超低オン抵抗175°C動作温度高速スイッチング反復アバランシェTjmaxまで許容D-PakIRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
| 部品番号 | IRLR3915TRPBF |
| ベース部品番号 | IRLR3915 |
| EUのRoHS | 免税に準拠 |
| ECCN（米国） | EAR99 |
| 部品ステータス | アクティブ |
| HTS | 8541.29.00.95 |
|
カテゴリー
|
ディスクリート半導体製品
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|
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
|
|
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製造元
|
インフィニオンテクノロジーズ
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シリーズ
|
HEXFET®
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パッケージ
|
テープ＆リール（TR）
|
|
部品ステータス
|
アクティブ
|
|
FETタイプ
|
Nチャネル
|
|
テクノロジー
|
MOSFET（金属酸化物）
|
|
ドレインからソースへの電圧（Vdss）
|
55
V
|
|
電流-連続ドレイン（Id）@
25°C
|
30A（Tc）
|
|
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
|
5V、10V
|
|
Rds
On（Max）@
Id、Vgs
|
14mOhm
@
30A、10V
|
|
Vgs（th）（Max）@
Id
|
3V
@
250µA
|
|
ゲートチャージ（Qg）（最大）@
Vgs
|
92
nC
@
10
V
|
|
Vgs（最大）
|
±16V
|
|
入力容量（Ciss）（Max）@
Vds
|
1870
pF
@
25
V
|
|
FET機能
|
-
|
|
消費電力（最大）
|
120W（Tc）
|
|
作動温度
|
-55°C〜175°C（TJ）
|
|
取付タイプ
|
表面実装
|
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サプライヤーデバイスパッケージ
|
D-Pak
|
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パッケージ/ケース
|
TO-252-3、DPak（2リード+タブ）、SC-63
|
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基本製品番号
|
IRLR3915
|
