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| 価格 | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| 納期 | 2-15days |
| ブランド | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| 原産地 | 中国 |
| Certification | ROHS |
| 型式番号 | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| 包装の細部 | 標準パッケージ |
| 支払の言葉 | T/T、ウェスタン・ユニオン |
| 供給の能力 | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | 型式番号 | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Certification | ROHS | 原産地 | 中国 |
| 最低順序量 | 10pieces | Price | Negotiated |
| 支払の言葉 | T/T、ウェスタン・ユニオン | 供給の能力 | 500000PCS |
| 受渡し時間 | 2-15days | 包装の細部 | 標準パッケージ |
| 家族 | ディスクリート半導体製品 | 部門 | 電子部品-MOSFET（金属酸化物） |
| シリーズ | HEXFET MOSFET（金属酸化物） | 基礎部品番号 | IRFB4 |
| 細部 | Nチャネル180A（Tc）200W（Tc）スルーホールTO-220AB | タイプ | トランジスタ-FET、MOSFET-シングル |
| 記述 | トランジスタMOSFETN-CH TO220AB | パッケージ | TO220 |
| タイプの取付け | 穴を通して | ストック | ストック |
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v104AトランジスタTO-220ABHEXFET FETs MOSFET
トランジスタNチャネル180A200WスルーホールTO-220ABHEXFET FETMOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v104A
説明：
このHEXFET®パワーMOSFETは、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を非常に低く抑えています。
この製品の追加機能は、175°Cの接合部動作温度、高速スイッチング速度、および改善された繰り返しアバランシェ定格です。これらの機能を組み合わせることで、この設計はさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスになります。
Nチャネル180A（Tc）200W（Tc）スルーホールTO-220AB仕様：
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カテゴリー
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ディスクリート半導体製品
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トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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製造元
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インフィニオンテクノロジーズ
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シリーズ
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HEXFET®
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パッケージ
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チューブ
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FETタイプ
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Nチャネル
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テクノロジー
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MOSFET（金属酸化物）
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ドレインからソースへの電圧（Vdss）
|
40
V
|
|
電流-連続ドレイン（Id）@
25°C
|
180A（Tc）
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駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
|
10V
|
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Rds
On（Max）@
Id、Vgs
|
3.7mオーム@
75A、10V
|
|
Vgs（th）（Max）@
Id
|
4V
@
250µA
|
|
ゲートチャージ（Qg）（最大）@
Vgs
|
150
nC
@
10
V
|
|
Vgs（最大）
|
±20V
|
|
入力容量（Ciss）（Max）@
Vds
|
4340
pF
@
25
V
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FET機能
|
-
|
|
消費電力（最大）
|
200W（Tc）
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|
作動温度
|
-55°C〜175°C（TJ）
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取付タイプ
|
スルーホール
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サプライヤーデバイスパッケージ
|
TO-220AB
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パッケージ/ケース
|
TO-220-3
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基本製品番号
|
IRF1404
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| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RhoHSステータス | ROHS3準拠 |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1（無制限） |
| REACHステータス | 影響を受けないリーチ |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
