Epi準備ができた4inch 0.5mmのサファイアガラスのウエファーの単結晶のC軸線

価格	Negotiable
MOQ	5 Pieces
納期	1-4 weeks
ブランド	BonTek
原産地	中国
Certification	ISO:9001
型式番号	サファイア（Al2O3）
包装の細部	カセット、瓶、フィルムのパッケージ
支払の言葉	T/T
供給の能力	10000部分/月

製品の詳細

製品仕様

Brand Name	BonTek	型式番号	サファイア（Al2O3）
Certification	ISO:9001	原産地	中国
最低順序量	5部分	Price	Negotiable
支払の言葉	T/T	供給の能力	10000部分/月
受渡し時間	1-4週	包装の細部	カセット、瓶、フィルムのパッケージ
材料	サファイアのウエファー	タイプ	単結晶
色	白く/赤い/青	成長方法	水平に指示された結晶化（HDC）
表面	ポーランド二重側面	気力の範囲	85%
適用	Semicondutorのウエファー、導かれた破片、光学ガラスの窓、電子製陶術	企業	導かれた、光学ガラス、eli準備ができたウエファー

製品説明

Epi準備ができた水平に指示された結晶化によって育てられるサファイアのウエファー4inch 0.5mmのC軸線

単結晶のサファイアAl2O3は優秀な光学、物理的なおよび化学特性の独特な組合せを所有している。酸化物の水晶の最も堅いのは、サファイアAl2O3高温で高力を保ったり、よい熱特性および優秀な透明物がある。サファイアAl2O3の光学は300の摂氏温度の下で多くの酸およびアルカリに対して1000までの摂氏温度、またHFに対して温度で化学的に抵抗力がある。これらの特性は目に見えるのからの近い赤外線への範囲の光学伝達が要求される敵の環境のサファイアAl2O3の光学の広い使用を励ます。

今度は水晶の大半は液体の溶解から育っている。溶解から水晶に育つ最も適した物質は分解なしで溶けなければなり多形転移があり、低い化学活動によって特徴付けられる。溶解からの結晶化プロセスはモノクリスタルサファイアの成長の最も広まった方法で適用される:即ち、水平に指示された結晶化（HDC）方法およびStepanovの方法。

光学的性質

伝達	0.17から5.5 um
R.i.	1.75449 （o） 1.74663 1.06の（e） um
反射損失	o光線- 11.7%のための1.06ミクロン（2つの表面）;e光線- 14.2%のため
吸収の索引	2.4の0.3 x 10-3 cm-1 um
dN/dT	13.7 x 5.4の10-6 um
dn/dm = 0	1.5 um

物理的性質

密度	3.97 g/cm3
融点	2040の摂氏温度
熱伝導性	27.21と（K） 300 Kのm X
熱拡張	5.6 x 10 ^-6 /K （平行C軸線）及び5.0 （垂直なC軸線） x 10 ^-6 /K
硬度	Knoop 2000g圧子との2000 kg/mm ²
比熱容量	419 J/（K） kg X
比誘電率	1MHzの11.5 （平行C軸線） 9.4 （垂直なC軸線）
ヤングの係数（e）	335 GPa
せん断の係数（G）	148.1 GPa
バルク係数（k）	240 GPa
伸縮性がある係数	C₁₁=496C₁₂=164C₁₃=115 C₃₃=498C₄₄=148
明白な伸縮性がある限界	275 MPa （40,000のpsi）
ポアソン比率	0.25