DF10S2DF10S単相ブリッジ整流ダイオード1KV1.5A4ピンSDIPSMD
価格: Negotiated
MOQ: 10pieces
納期: 2-15days
ブランド: Diodes Incorporated
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DF10S2DF10S整流器ブリッジダイオードシングル1KV1.5A4ピンSDIPSMDダイオードが組み込まれています
DF10S2整流器ブリッジダイオードシングル1KV2A4ピンDF10S整流器ブリッジダイオードシングル1KV1A4ピンDF005SDF01S2DF02S2DF04SDF06SDF08S
仕様 ：
部品番号
DF10S2
カテゴリー
ディスクリート半導体製品
ダイオード-ブリッジ整流器
オンセミ
パッケージ
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60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル
価格: Negotiated
MOQ: 10
納期: 2-15days
ブランド: Diodes
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DMT6009LSS-13単一MOSFET Nチャネル60V 10.8Aのトランジスター
FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2の分離した半導体
DMT6009LSS-13指定:
部品番号
DMT6009LSS-13
部門
分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
組み込まれるダイオード
シリーズ
-
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超高速切換えのための1SS226スイッチング・ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面
価格: Negotiated
MOQ: 100pcs
納期: 2-15days
ブランド: ROHM Semiconductor
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Ultra-High-Speed切換えのための1SS226スイッチング・ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面
1. 適用
•Ultra-High-Speed切換え
2. 特徴
（1） AEC-Q101は修飾した
特徴
高速切換え
内部関係
シリーズ
回路の数
2
AEC-Q101
修飾される（*）
RoHSの多用性があるプロダクト（#）
利用できる
1SS226TE85LF
85V 0.1A 3 Pin S小型T/Rを転換するダイオード
鉛の終わり
錫銀銅
最高の処理の臨時雇用者
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1N5822SS34表面実装ショットキーバリア整流ダイオード3.0A40V
価格: Negotiated
MOQ: 10
納期: 2-15days
ブランド: JI/ONSEMI
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1N5822SS34ショットキーバリア整流器3.0A40Vは、低電圧高周波インバーターの整流器としての使用に適しています
ショットキー整流器は、大面積の金属からシリコンへのパワーダイオードにショットキーバリア原理を採用しています。
ショットキー整流器の最先端の形状は、クロムバリア金属、酸化物パッシベーションを備えたエピタキシャル構造を特徴としています
と金属のオーバーラップコンタクト。
低電圧、高周波インバータ、フリーホイーリングダイオード、極性保護ダイオードの整流器としての使用に最適です。
特徴
•非常に低いvF
•低電力損失/高効率
•低蓄積電荷、多数キャリア伝... もっと見る
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SS36 SMBショットキーの障壁の整流器ダイオードのトランジスターMOSFET橋整流器IC
価格: Negotiated
MOQ: 10
納期: 2-15days
ブランド: vishay/ours
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3A SS36 SMB表面の取付けられたショットキーの障壁の整流器ダイオードのトランジスターMOSFET橋整流器の電子部品
名前:
3A SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320 SMA/DO-214ACのパッケージSMDショットキーの障壁の整流器ダイオード
モデルいいえ:
SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320
パッケージのタイプ:
表面の台紙
パッケージ:
DO-214AC/SMA
最高。逆電圧:
次見なさい
最高。前方流れ... もっと見る
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TDA7297TDA7294VオーディオアンプICAMP AB MONO 100W15マルチワット
価格: Negotiated
MOQ: 10pieces
納期: 2-15days
ブランド: STMicroelectronics
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TDA7297 TDA7294V TDA2050V TDA2040V TDA2030V TDA2005R TDA2003V
AMPLIFICADOR DEAUDIOアンプIC電子部品
ミュート/スタンバイ付き100V、100 WDMOSオーディオアンプ
製品詳細
説明 ：
TDA7294は、Multiwatt15パッケージのモノリシック集積回路であり、Hi-Fiフィールドアプリケーション（ホームステレオ、セルフパワースピーカー、トップクラスTV）でオーディオクラスABアンプとして使用することを目的としています。広い電圧範囲と高い出力電流能力のおかげで、供給レギュレーショ... もっと見る
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2N7002K2V7002KダイオードトランジスタNチャネル信号MOSFET60V 380mA
価格: Negotiated
MOQ: 10
納期: 2-15days
ブランド: Onsemi
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2N7002K2V7002K信号MOSFETNチャネル小型60V380mA半導体コンポーネントディスクリートおよびパワーモジュール
2N7002K 2V7002KNチャネル小信号MOSFET60V 380mA
アプリケーション：
ローサイドロードスイッチ
レベルシフト回路
DC-DCコンバータ
ポータブルアプリケーション、すなわち、DSC、PDA、携帯電話など。
利点：
システム効率の向上
省スペース
RoHS対応
特徴：
低RDS（オン）
表面実装パッケージ
これは鉛フリーのデバイスです
ESD保護
RoHS対応
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1SMB5918B 5.1VツェナーダイオードDO-214AASMBディスクリート半導体
価格: Negotiated
MOQ: 10
納期: 2-15days
ブランド: Rectron/OEM
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1SMB5918Bツェナーダイオード±5％表面実装DO-214AASMBディスクリート半導体
仕様 ：
カテゴリー
ディスクリート半導体製品
ダイオード-ツェナー-シングル
部品番号
1SMB5918B
パッケージ
テープ＆リール（TR）
部品ステータス
アクティブ
電圧-ツェナー（公称）（Vz）
5.1 V
許容範囲
±5％
パワー-最大
3 W
インピーダンス（最大）（Zzt）
4オーム
現在-逆リーク@Vr
5 µA @ 2 V
電圧-順方向（Vf）（最大）@ If
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STGWA19NC60HD GWA19NC60HD超高速IGBT 31A 600Vのダイオードのトランジスター
価格: Negotiated
MOQ: 10pieces
納期: 2-15days
ブランド: STMicroelectronics
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超高速のダイオードとのSTGWA19NC60HD GWA19NC60HD超高速IGBT 31 A 600 Vまさに速いIGBT
トランジスター- IGBTs -単一の31 A、600ボルト、超高速のダイオードとの非常に速いIGBT
プロダクト細部
記述:
この装置は超高速IGBTである。
それは転換の性能と低いオン州の行動間の優秀なトレードオフに終って高度力MESH™プロセスを利用する。
特徴
低いオン電圧低下（VCE （坐った））
非常に柔らかい超高速の回復anti-parallelダイオード
適用
■高周波モーター ドライブ
■堅いスイッチおよび... もっと見る
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SMCB530Cツェナーダイオードトランジスタ30V5Aパワーショットキーダイオード
価格: Negotiated
MOQ: 10
納期: 2-15days
ブランド: JI
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B530Cツェナーダイオードショットキー30V5ASMCディスクリート半導体
仕様 ：
カテゴリー
ディスクリート半導体製品
ダイオード-ダイオードショットキー
部品番号
B530C
パッケージ
テープ＆リール（TR）
部品ステータス
アクティブ
電圧-ツェナー（公称）（Vz）
30 V
許容範囲
±5％
パワー-最大
3 W
インピーダンス（最大）（Zzt）
4オーム
現在-逆リーク@Vr
5A
作動温度
-
取付タイプ
表面実装
パッケージ/ケース
D... もっと見る
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FDLL4148整流器ダイオード力の切換えLL34 1N4148小さい信号ダイオード
価格: Negotiated
MOQ: 100pcs
納期: 2-15days
ブランド: FAIRCHILD/ONSEMI
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FDLL4148整流器ダイオード力の切換えLL34 1N4148 MINI-MELF SOD80小さい信号ダイオード
gaotによって導入されるll-34ガラス封じられたスイッチング・ダイオードに安定性が高いおよび信頼性の低い逆の漏出流れがある、
切り替え速度500mWの4.0ns、最高の電力損失、および優秀な電気性能よりより少なく。
名前:
FDLL914、FDLL4x48,1N91x、1N4x48,1N914,1N914−T50A、1N914TR、1N914ATR、1N914B、
1N914BTR、1N916,1N916A、1N916B、1N4148,1N... もっと見る
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DTC123YUA ROHMの半導体のトランジスター デジタルBJT NPN 50V 100mA 200mW
価格: Negotiated
MOQ: 100pcs
納期: 2-15days
ブランド: ROHM Semiconductor
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DTC123YUA ROHMの半導体のトランジスター デジタルBJT NPN 50V 100mA 200mW 3 Pin DTC123YUAT106
DTC123YUAシリーズ50ボルト100 mAの表面の台紙NPNデジタルのトランジスター- SC-70
関連製品数:
Mfrの部品#
記述
パッケージ
DTC123EM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
SOT-723
DTC123JET1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
SC-75、SOT-416
DTC123JM... もっと見る
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GP BJT NPN 60V50mAダイオードトランジスタCMPT2484セントラル半導体
価格: Negotiated
MOQ: 10
納期: 2-15days
ブランド: Central Semiconductor
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CMPT2484セントラル半導体ダイオードトランジスタGPBJT NPN 60V 50mA3ピンSOT-23ディスクリート半導体
仕様 ：
カテゴリー
ディスクリート半導体製品
ダイオード-ダイオードショットキー
部品番号
CMPT2484TR
パッケージ
テープ＆リール（TR）
部品ステータス
アクティブ
電圧-ツェナー（公称）（Vz）
60 V
説明
Trans GP BJT NPN 60V 50mA3ピンSOT-23
現在-逆リーク@Vr
50MA
作動温度
-
取付タイプ
表面... もっと見る
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SSM3K36MFV MOSFET東芝の半導体の電子部品
価格: Negotiated
MOQ: 100pcs
納期: 2-15days
ブランド: Toshiba Semiconductor
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SSM3K36MFV MOSFET東芝の半導体の電子部品
特徴
部門
分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
東芝の半導体および貯蔵
シリーズ
U-MOSIII
パッケージ
テープ及び巻き枠（TR）
プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
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